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Products
产品信息
SiC
LXPSEMI SiC MOSFET在导通电阻,开关损耗,高温运行和导热性上的优异特性极大地提升了电力电子系统的转换效率和功率密度,并使得系统的整体成本降低。
IGBT
澜芯IGBT芯片采用先进的微沟槽器件结构,产品具有更低的导通压降与更小的开关损耗。
SJ MOSFET
为适应电源系统高效率小型化的需求,澜芯半导体推出了超结高压MOSFET, SJ MOSFET具有更快的开关速度,可以大大提高系统效率、降低发热量,还可以简化系统EMI设计。
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