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公司动态
澜芯半导体新品发布-1200V/6mΩ SiC MOSFET
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澜芯半导体新品发布-1200V/6mΩ SiC MOSFET
上海澜芯半导体新品发布:\x0d\x0a\x0d\x0aLX2C006N120AP--6mΩ, 1200V,SiCMOSFET
上海澜芯半导体新品发布:\x0d\x0a\x0d\x0aLX2C006N120AP--6mΩ, 1200V,SiCMOSFET
上海澜芯半导体新品发布:\x0d\x0a\x0d\x0aLX2C006N120AP--6mΩ, 1200V,SiCMOSFET
祝贺澜芯半导体进入SiC MOSFET 12mΩ俱乐部!
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祝贺澜芯半导体进入SiC MOSFET 12mΩ俱乐部!
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澜芯半导体1200V首款SiC MOSFET通过可靠性认证
澜芯半导体1200V首款SiC MOSFET通过可靠性认证
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澜芯半导体的首款SiC MOSFET产品1200V 80mΩ SiC MOSFET成功通过了1000小时175℃ 100%VDS HTRB和1000小时175...
澜芯半导体的首款SiC MOSFET产品1200V 80mΩ SiC MOSFET成功通过了1000小时175℃ 100%VDS HTRB...
澜芯半导体的首款SiC MOSFET产品1200V 80mΩ SiC MOSFET成功通过了1000小时175℃ 100%VDS...
650V 40mΩ 超结MOSFET新品发布
650V 40mΩ 超结MOSFET新品发布
650V 40mΩ 超结MOSFET新品发布
澜芯半导体正式发布了650V 40mΩ 超结MOSFET新品 。该产品采用了先进的超级结技术,有着极低的导通压降,极低的栅极电荷和超快的开关速度,可广泛应用于...
澜芯半导体正式发布了650V 40mΩ 超结MOSFET新品 。该产品采用了先进的超级结技术,有着极低的导通压降,极低的栅极电荷和超快的开...
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