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Products
产品信息
SiC
LXPSEMI SiC MOSFET在导通电阻，开关损耗，高温运行和导热性上的优异特性极大地提升了电力电子系统的转换效率和功率密度，并使得系统的整体成本降低。
IGBT
澜芯IGBT芯片采用先进的微沟槽器件结构，产品具有更低的导通压降与更小的开关损耗。
SJ MOSFET
为适应电源系统高效率小型化的需求，澜芯半导体推出了超结高压MOSFET, SJ MOSFET具有更快的开关速度，可以大大提高系统效率、降低发热量，还可以简化系统EMI设计。
产品申请表
请您根据您的需求填写产品申请表，以便我们更好地了解您的需求，并提供给您最合适的产品。
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澜芯半导体新品发布-1200V/6mΩ SiC MOSFET
澜芯半导体新品发布-1200V/6mΩ SiC MOSFET
澜芯半导体新品发布-1200V/6mΩ SiC MOSFET
上海澜芯半导体新品发布：\x0d\x0a\x0d\x0aLX2C00...
上海澜芯半导体新品发布：\x0d\x0a\x0d\x0aLX2C006...
上海澜芯半导体新品发布：\x0d\x0a\x0d\x0aLX2C006...
2023-11-30
18:52:14
祝贺澜芯半导体进入SiC MOSFET 12mΩ俱乐部！
祝贺澜芯半导体进入SiC MOSFET 12mΩ俱乐部！
祝贺澜芯半导体进入SiC MOSFET 12mΩ俱乐部！
祝贺澜芯半导体进入SiC MOSFET 12mΩ俱乐部！
祝贺澜芯半导体进入SiC MOSFET 12mΩ俱乐部！
祝贺澜芯半导体进入SiC MOSFET 12mΩ俱乐部！
2023-11-30
18:52:10
澜芯半导体1200V首款SiC MOSFET通过可靠性认证
澜芯半导体1200V首款SiC MOSFET通过可靠性认证
澜芯半导体1200V首款SiC MOSFET通过可靠性认证
澜芯半导体的首款SiC MOSFET产品1200V 80mΩ SiC ...
澜芯半导体的首款SiC MOSFET产品1200V 80mΩ SiC M...
澜芯半导体的首款SiC MOSFET产品1200V 80mΩ SiC M...
2023-11-30
18:52:05
650V 40mΩ 超结MOSFET新品发布
650V 40mΩ 超结MOSFET新品发布
650V 40mΩ 超结MOSFET新品发布
澜芯半导体正式发布了650V 40mΩ 超结MOSFET新品 。该产品...
澜芯半导体正式发布了650V 40mΩ 超结MOSFET新品 。该产品采...
澜芯半导体正式发布了650V 40mΩ 超结MOSFET新品 。该产品采...
2023-11-30
18:51:58
沪公网安备31011502400834号
