×
澜芯IGBT芯片采用先进的微沟槽器件结构，产品具有更低的导通压降与更小的开关损耗。目前公司在开发的产品涵盖600V~1350V电压，适合应用于光伏储能逆变、直流充电桩、汽车主驱、UPS等领域。
IGBT产品
敬请期待！
ebf3174152b12e62b30356083c17b46
  • 1684719153395dfda6e76d37480d5
    移动端网站
  • 16847191533980fc3bde3d7348169
    微信公众号
Copyright @ 2019-2023 上海澜芯半导体有限公司 All rights reserved.
沪ICP备2023033432号-1
沪公网安备31011502400834号沪公网安备31011502400834号